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一种单斜相二氧化钒纳米线薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于无机纳米材料技术领域,公开了一种单斜相二氧化钒纳米线薄膜及其制备方法和应用。本发明采用溶液相前驱体滴涂‑空气中煅烧的方法,可以在透明电极上制备得到单斜相二氧化钒纳米线;该纳米线微形貌分明,与电极结合力强,在一般非破坏性后续加工过程中都不会脱落;纳米线结晶度高,在电极表面分布均匀。而且该方法在空气气氛中常压进行,制备工艺简单,便捷,生产成本低,反应条件温和且易于控制。所制备的单斜相二氧化钒为纳米线一维结构,该类结构广泛存在的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和界面效应等特性,使得它可应用于光电开关、热敏电阻、光信息储存、锂离子电池等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN109748320B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广州大学;

    申请/专利号CN201910213229.6

  • 申请日2019-03-20

  • 分类号C01G31/02(20060101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);C03C17/27(20060101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人桂婷;裘晖

  • 地址 510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路230号

  • 入库时间 2022-08-23 11:46:41

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