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一种降低ZrB2-SiC陶瓷材料烧结温度的方法

摘要

本发明属于无机复合材料制备技术领域,涉及一种降低ZrB2‑SiC陶瓷材料烧结温度的方法。本发明添加Cr3C2可以克服在较低温度下烧结不致密和材料性能较差的问题,制备得到的ZrB2‑SiC‑Cr3C2超高温复合陶瓷致密度高、力学性能和抗氧化性能优异。在烧结ZrB2‑SiC陶瓷时添加Cr3C2,可以显著降低烧结温度。在放电等离子烧结过程中,Cr3C2与基体相发生反应,填补了陶瓷内部孔隙,增强了相间结合力,从而提高了陶瓷的致密度和力学性能。由于引入陶瓷中的Cr的氧化物在低氧压下稳定不挥发,避免了氧化时因氧化物挥发造成的氧化层疏松进而抗氧化性能差的问题,有效提高了陶瓷的抗氧化性能。

著录项

  • 公开/公告号CN108218436B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国航发北京航空材料研究院;

    申请/专利号CN201810066953.6

  • 发明设计人 李麒;曹腊梅;刘伟;郭丰伟;

    申请日2018-01-23

  • 分类号C04B35/58(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构11008 中国航空专利中心;

  • 代理人李建英

  • 地址 100095 北京市海淀区北京市81号信箱科技发展部

  • 入库时间 2022-08-23 11:45:46

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