公开/公告号CN108400161B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体国际有限合伙公司;
申请/专利号CN201810174457.2
申请日2011-05-25
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/45(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构31272 上海申新律师事务所;
代理人董科
地址 加拿大安大略省
入库时间 2022-08-23 11:45:44
机译: 采用自对准工艺和更可靠的电触点制造的半导体功率器件
机译: 采用自对准工艺和更可靠的电触点制造的半导体功率器件
机译: 采用自对准工艺和更可靠的电触点制造的半导体功率器件