一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻

摘要

一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻，属于磁性材料与元器件技术领域。所述磁电阻包括基片，以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、第一反铁磁层/[铁磁层/第二反铁磁层]n的多层薄膜和覆盖层薄膜，n≥2。本发明提供的各向异性磁电阻在控制磁性层总厚度的情况下，将每层铁磁层减薄到100nm以下，可在反铁磁层/铁磁层/反铁磁层中获得交换偏置场，进而提升整体薄膜的各向异性场，从而实现对基于各向异性磁电阻效应的传感器磁场探测区间的拓展。并且，由于交换偏置场的大小与铁磁层的厚度呈反比，因而可以在控制铁磁层总厚度的情况下，通过调整重复周期n，获得不同的交换偏置场和各向异性场，方便的实现不同磁场探测区间的获得。