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一种基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻

摘要

一种基于多层磁性复合结构的各向异性磁电阻,属于磁传感器技术领域。所述磁电阻包括基片,以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、[NiFe/NiCo]n的多层薄膜和覆盖层薄膜,其中,n≥2。本发明采用[NiFe/NiCo]n的多层薄膜作为磁性层,通过相邻磁性层间界面的自旋相关散射,弥补由于n增大后单层磁性层厚度降低对各向异性磁电阻效应的降低,并且可以根据具体应用的需求,通过重复周期n及各层的厚度灵活调整传感器翻转场、线性区等参数,实现磁各向异性薄膜厚度在降低到20~40nm后仍然兼具小的饱和场与大于2%的各向异性磁电阻变化率。

著录项

  • 公开/公告号CN111740010A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010562477.4

  • 发明设计人 唐晓莉;陶仁婧;姜杰;

    申请日2020-06-18

  • 分类号H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);H01L43/12(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 08:27:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-15

    授权

    发明专利权授予

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