用于单晶锭生长的温度控制装置及其应用的温度控制方法

摘要

本发明涉及一种用于单晶锭生长的温度控制装置及其应用的温度控制方法，温度控制装置能够精确地测量硅熔体的温度并且在锭生长过程中快速控制到目标温度。本发明提供了一种用于生长单晶锭的温度控制装置，温度控制装置控制用于加热坩埚的加热器的操作，该坩埚被构造成容纳硅熔体，该装置包括：输入单元，该输入单元被构造成测量容纳在坩埚中的硅熔体的温度，并且处理硅熔体的测量温度；控制单元，该控制单元被构造成执行该输入单元的测量温度T1和处理温度T2之一与设定目标温度T0的比例‑积分‑微分(PID)计算，并且计算为加热器的输出；和输出单元，该输出单元被构造成将在控制单元中计算的加热器的输出输入到加热器。