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用于单晶锭生长的提拉控制装置及其应用的提拉控制方法

摘要

本发明涉及一种用于生长单晶锭的提拉控制装置,能够通过实时改变晶种转数来控制单晶锭的偏心度,以及涉及应用于该装置的提拉控制方法。根据本发明,通过提供实时变化的目标晶种输出转数(T_f输出)以便通过输入目标输入晶种输入转数(T_f输入)来匹配对于每个长度的晶锭的旋转形式并且通过控制晶种绳的转数(f),用于生长单晶锭的提拉控制装置和应用于提拉控制装置的提拉控制方法能够最大限度地避免将晶种转数(f)设定为引起熔体的共振现象的特定转数(fo),并且能够防止熔体的波动和锭块的偏心现象。

著录项

  • 公开/公告号CN110055581B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱思开矽得荣株式会社;

    申请/专利号CN201910047191.X

  • 发明设计人 朴玹雨;

    申请日2019-01-18

  • 分类号C30B15/20(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构11270 北京派特恩知识产权代理有限公司;

  • 代理人李雪;姚开丽

  • 地址 韩国庆尚北道

  • 入库时间 2022-08-23 11:52:57

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