公开/公告号CN110055581B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-01
原文格式PDF
申请/专利权人 爱思开矽得荣株式会社;
申请/专利号CN201910047191.X
发明设计人 朴玹雨;
申请日2019-01-18
分类号C30B15/20(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构11270 北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人李雪;姚开丽
地址 韩国庆尚北道
入库时间 2022-08-23 11:52:57
机译: 单晶提拉装置中的熔体液位控制机构,单晶提拉装置中的熔体液位控制方法,单晶提拉装置中的熔体液位调整机构以及提拉单晶时的熔体液位调整方法
机译: 单晶提拉装置中的熔体液位控制机构,单晶提拉装置中的熔体液位控制方法,单晶提拉装置中的熔体液位调整机构以及提拉单晶时的熔体液位调整方法
机译: 半导体锭生长中籽晶提拉速率的优化方法,使用该晶锭的半导体锭生长方法,半导体锭和半导体晶片以及相应地生长的半导体器件