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温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响

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利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用Φ50mm的籽晶进行生长,得到了Φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.

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来源
《第五届中国功能材料及其学术会议》|2004年|3084-30863089|共4页
会议地点秦皇岛
作者
李现祥; 李娟; 董捷; 王丽; 姜守振; 韩荣江; 徐现刚; 王继扬; 胡小波; 蒋民华;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国金属学会;

中国稀土学会;

中国复合材料学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类晶体生长工艺;
关键词
扩径生长; SiC晶体; 单晶生长; 温度梯度;

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