一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法

摘要

本发明属于电子陶瓷封装材料领域，具体提供一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法，应用于集成电路芯片的陶瓷封装，特别适用于陶瓷球栅阵列封装。本发明采用低温共烧工艺，其制备工艺简单，原材料绿色环保不含RoHS中限定污染物质，材料性能稳定；针对特定封装环境条件，形成热膨胀系数固定的封装材料。本发明提供高热膨胀高强度陶瓷封装材料介电性能优良：介电常数6～7，介电损耗小＜1.0×10^‑3，抗弯强度为190‑210MPa，杨氏模量高达70‑80GPa，热膨胀系数为11～12×10^‑6/℃；为大规模集成电路的制造提供了一种极好的封装材料，将来能够与热膨胀系数为11～12×10^‑6/℃的新型PCB板热匹配性能良好。通过添加MnO，封装材料的热膨胀系数被控制在11‑12×10^‑6/℃之间，且封装材料的强度得到显著的提升。