一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池

摘要

本发明公开一种插入AlGaN结构的多量子阱InGaN太阳能电池，包括一衬底；衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上面的一侧有一低于n型掺杂GaN层的上表面的台面，n型掺杂GaN层上依次层叠设有AlGaN势垒层Ⅰ、超晶格层、非故意掺杂GaN缓冲层、量子阱吸收层、AlGaN势垒层Ⅱ和p型掺杂GaN层，p型掺杂GaN层上设有多个p型电极，p型电极之间通过透明电极层连接；n型掺杂GaN层的台面设有n型电极。本发明通过在多量子阱两边插入AlGaN层，有效增强了多量子阱界面陡峭性，提高了界面质量，光电转换效率达到1.432％，相比传统太阳能电池提高了138.7％,具有美好的应用前景。