浅沟道隔离结构中的孔洞缺陷的检测方法

摘要

本发明提供一种浅沟道隔离结构中的孔洞缺陷的检测方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有浅沟道隔离结构，所述衬底上形成有多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层以形成第一沟槽；形成锗硅结构，同时，所述浅沟道隔离结构中形成孔洞缺陷；在所述多晶硅层上形成一介质层，并通过化学机械研磨、刻蚀、湿法清洗工艺去除介质层、多晶硅层、部分厚度的衬底以及部分浅沟道隔离结构以露出所述孔洞缺陷，并对所述孔洞缺陷进行检测。在所述多晶硅层上形成介质层，并进行化学机械研磨工艺，减小了去除所述多晶硅层对所述衬底的压应力，避免所述浅沟道隔离结构中的所述孔洞缺陷遭受挤压，使得该孔洞缺陷的形貌保持完整，保证了该孔洞缺陷后续能够完整地得到检测。