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光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法

摘要

本发明提供了光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法,包括:步骤1,设光电二极管的上表面在光照条件下只有一小孔可进行透光,光照t0时间内小孔所对应光电二极管处所产生的光生电荷为E0,光生电荷E0的转移距离为L0,光生电荷E0在所述悬浮扩散节点中所对应的电压值为ΔV0;步骤2,依次将小孔朝远离悬浮扩散节点的方向进行移动,且每次小孔移动后,光照t0时间内小孔所对应光电二极管处所转移的光生电荷为Ei,光生电荷Ei在所述悬浮扩散节点中所对应的电压值ΔVi,直至小孔移动至光电二极管上表面的边缘为止;步骤3,通过公式得到光电二极管内部光生电荷转移效率。

著录项

  • 公开/公告号CN109212400B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宁波飞芯电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201810966066.4

  • 发明设计人 雷述宇;

    申请日2018-08-23

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构61216 西安恒泰知识产权代理事务所;

  • 代理人黄小梧

  • 地址 315500 浙江省宁波市奉化区岳林东路389号2212室

  • 入库时间 2022-08-23 11:40:54

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