得到光电二极管内部光生电荷转移效率。"/>
公开/公告号CN109212400B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-23
原文格式PDF
申请/专利权人 宁波飞芯电子科技有限公司;
申请/专利号CN201810966066.4
发明设计人 雷述宇;
申请日2018-08-23
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构61216 西安恒泰知识产权代理事务所;
代理人黄小梧
地址 315500 浙江省宁波市奉化区岳林东路389号2212室
入库时间 2022-08-23 11:40:54
机译: 减少势垒光电二极管/栅极器件的结构,以实现高效率的电荷转移和减少滞后,以及形成方法
机译: 减少势垒光电二极管/栅极器件的结构,以实现高效率的电荷转移和减少滞后,以及形成方法
机译: 利用附加的n型离子注入区制造CMOS图像传感器的光电二极管的方法,以提高电荷转移效率