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一种偏振激光散射检测单晶硅片亚表面损伤的方法

摘要

本发明公开了一种分离残余应力的偏振激光散射检测硅片亚表面损伤的方法,涉及磨削单晶硅片亚表面损伤的无损检测,其具体特征包括采用线偏振激光散射检测亚表面损伤,通过调整入射激光偏振方向与磨削表面磨纹的方向夹角,使入射激光的偏振方向与磨纹平行或垂直,消除残余应力的影响之后进而对亚表面裂纹进行无损检测;亚表面裂纹检测完成之后,通过调整入射激光的偏振方向与磨纹的夹角,进而实现对表面残余应力的检测。本发明方法新颖,操作简单,能够提高硅片加工亚表面损伤的检测精度,易实现在线检测,有利于提高生产效率,是集经济性与实用性为一体的亚表面损伤的无损检测方法。

著录项

  • 公开/公告号CN109781666B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201811429262.4

  • 发明设计人 白倩;张璧;殷景飞;马浩;

    申请日2018-11-27

  • 分类号G01N21/49(20060101);G01N21/59(20060101);

  • 代理机构21212 大连东方专利代理有限责任公司;

  • 代理人李洪福

  • 地址 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:40:47

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