基于高斯曲面拟合的单晶硅片漩涡缺陷检测方法

摘要

单晶硅片的漩涡缺陷是造成单晶太阳电池片效率低下的主要原因之一.本文基于单晶硅片光致发光的检测方法,提出了一种采用高斯曲面拟合并求拟合方差的缺陷自动检测方法.这种方法首先是对光致发光图像进行滤除噪声,然后对图像的灰度值分布曲面进行高斯曲面拟合并求拟合方差.通过对大量的样本进行实验分析,选取合适的方差阈值,比较拟合方差与阈值的大小关系,便可以实现漩涡缺陷的自动检测.实验结果表明,该方法能够准确并且高效地检测出单晶硅片的漩涡缺陷.