一种分布面积可控的硅纳米孔结构及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种分布面积可控的硅纳米孔结构及其制备方法与应用。所述制备方法，包括如下步骤：S1.在SOI两侧表面沉积Si₃N₄纳米薄膜后刻蚀，一侧形成硅表面，另一侧形成硅衬底释放窗口；S2.在S1的硅表面上沉积金属薄膜后，制备刻蚀窗口，得到所需形状的金属薄膜；S3.刻蚀S2处理后的基体，得到硅/金属薄膜双层结构；S4.使步骤S3.中金属薄膜的选定区域温度升高，形成金属尖凸物；S5.除去S4的金属薄膜及金属尖凸物，得到硅纳米孔结构。本发明在硅表面上制备金属薄膜，通过控制发热区域实现纳米孔的定位分布，即分布面积可控，以及孔径大小的调节。而且，该制备方法工艺简单，成本较低，并且生产效率较高。