公开/公告号CN108682686B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第二十四研究所;
申请/专利号CN201810607744.8
申请日2018-06-13
分类号H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/772(20060101);
代理机构50215 重庆辉腾律师事务所;
代理人王海军
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2022-08-23 11:40:13
机译: 半导体电路集成了包括填充有绝缘材料的深槽的器件以及制造这种器件的方法。
机译: 研磨垫表面形状测定装置,研磨垫表面形状测定装置的使用方法,研磨垫的锥顶角的测定方法,研磨垫的槽深的测定方法,CMP研磨装置及其制造方法半导体器件
机译: 垂直,高耐压半导体器件以及制造垂直,高耐压半导体器件的方法