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基于二维MXene/SnO2异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用

摘要

本发明提供了一种基于二维MXene/SnO2异质结的氨气气体传感器、制备工艺及应用,属于纳米材料技术领域。该氨气气体传感器主要由气敏材料和加热基板组成,工作温度为室温。所述气敏材料涂覆在所述加热基板表面,涂覆厚度为1μm~100μm;所述气敏材料成分为碳化钛和二氧化锡形成的异质结复合纳米材料。本发明采用水热法获得一种新型异质结复合纳米材料,原材料获取方便、制备异质结过程简单,是一种设备投资小,工艺流程简单的二维半导体异质结制备方案。

著录项

  • 公开/公告号CN109613070B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201910001499.0

  • 申请日2019-01-02

  • 分类号G01N27/12(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人温福雪;梅洪玉

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:40:02

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