一种能够用于90～60nm半导体制程的ArF光刻胶及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种能够用于90～60nm半导体制程的ArF光刻胶及其制备方法与应用，所述感光性聚合物中含有至少一个能够通过酸水解产生酸性基团的结构单元(a1)和至少一个具有环状基团的结构单元(a2)。所述结构单元(a1)的摩尔占比优选为20～99％。所述感光性聚合物中还含有能形成刚性主链的结构单元(a3)；优选地，所述结构单元(a3)的摩尔占比为1～80％。以该感光性聚合物制备的ArF光刻胶可用于光刻膜的制备中，制得的光刻膜能够同时具备高灵敏度、高对比度及高耐刻蚀能力等多种优良性质。