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图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管

摘要

本发明公开了一种图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管。包括初始阶段:在衬底上形成具有初始形貌的图形化掩膜;形貌形成阶段,通入第一刻蚀气体,在预设的第一刻蚀工艺参数下,形成具有预定形貌的图形化掩膜以及初步图形化衬底;拐角形成抑制阶段:通入第二刻蚀气体,在预设的第二刻蚀工艺参数下,抑制所述具有预定形貌的图形化掩膜拐角的形成,以获得中间图形化衬底;形貌修饰阶段,通入第三刻蚀气体,在预设的第三刻蚀工艺参数下,对中间图形化衬底的侧壁形貌进行修饰,以获得最终图形化衬底。本发明的图案化衬底的制作方法,可以有效缩短工艺制程时间,提高产能。

著录项

  • 公开/公告号CN110649134B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京北方华创微电子装备有限公司;

    申请/专利号CN201810667825.7

  • 发明设计人 高明圆;

    申请日2018-06-26

  • 分类号H01L33/20(20100101);H01L33/00(20100101);H01L21/3065(20060101);

  • 代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人彭瑞欣;姜春咸

  • 地址 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

  • 入库时间 2022-08-23 11:38:27

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