公开/公告号CN110649134B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 北京北方华创微电子装备有限公司;
申请/专利号CN201810667825.7
发明设计人 高明圆;
申请日2018-06-26
分类号H01L33/20(20100101);H01L33/00(20100101);H01L21/3065(20060101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人彭瑞欣;姜春咸
地址 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
入库时间 2022-08-23 11:38:27
机译: 用于均匀地图形化地制备辐射敏感层中的结构和具有表面结构的结构化半导体衬底的方法
机译: 具有形成衬底的发光二极管和具有形成衬底的发光二极管的发光二极管的柱序为零
机译: 制备涂覆有半导体材料的蓝宝石衬底的方法,通过该方法可获得的涂覆的蓝宝石衬底以及这种衬底在发光二极管中的用途