机译:高应变GaInAs-GaAs量子阱在图形化衬底上的生长及其在多波长垂直腔面发射激光器阵列中的应用
III-V semiconductors; MOCVD; gallium arsenide; indium compounds; internal stresses; optical transmitters; photoluminescence; quantum well lasers; semiconductor laser arrays; semiconductor quantum wells; surface emitting lasers; wavelength division multiplexing; 1.1;
机译:高应变GaInAs-GaAs量子阱在图形化衬底上的生长及其在多波长垂直腔面发射激光器阵列中的应用
机译:在图案化基材上高度应变的Gainas-Gaas量子孔的生长及其对多波长垂直腔表面发射激光阵列的应用
机译:金属有机化学气相沉积法生长高应变InGaAs量子阱及其在垂直腔面发射激光器中的应用
机译:在图案化衬底上具有高应变GaInAs / GaAs QW的1.1-1.2 / spl mu / m多波长垂直腔表面发射激光器阵列
机译:具有交互式量子阱吸收器的垂直腔面发射激光器:设计和应用。
机译:覆盖绿色间隙的量子点垂直腔表面发射激光器
机译:与微透镜阵列集成的高度均匀的垂直腔面发射激光器
机译:多波长垂直腔表面发射激光器阵列使用表面控制的mOCVD生长速率增强和减少