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基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺

摘要

一种基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺,包括硅基晶片加工步骤、玻璃加工步骤、组合装配步骤。其有益效果是:采用微加工技术,可以实现电场传感器的小体积复杂结构,进而减小传感器本身对外电场的畸变影响;本发明对于传感器不同界面采用不同键合方式,对于不同结构采用针对性的微加工工艺,对于不同加工步骤采用可兼容的加工流程,有利于提高传感器的可靠性与实用性。

著录项

  • 公开/公告号CN109342836B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201811246208.6

  • 申请日2018-10-24

  • 分类号G01R29/12(20060101);

  • 代理机构12217 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人高正方

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园一号

  • 入库时间 2022-08-23 11:37:03

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