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一种银纳米焊膏低温无压烧结方法

摘要

本发明公开了一种银纳米焊膏低温无压烧结方法,上述方法按照以下步骤实现银纳米焊膏的低温无压烧结:用等离子体设备对银纳米焊膏进行氧等离子体表面活化→采用甲醛蒸汽处理装置对表面活化过的银纳米焊膏进行处理→将芯片放于银纳米焊膏之上→低温无压烧结。本发明在烧结前利用氧等离子体表面活化和甲醛蒸汽处理的两步预处理方法去除银纳米焊膏中的多余有机物,相比于不处理的焊膏可以实现低温无压烧结,能够防止芯片受损。

著录项

  • 公开/公告号CN110047765B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201910346433.5

  • 申请日2019-04-26

  • 分类号H01L21/60(20060101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构23206 哈尔滨龙科专利代理有限公司;

  • 代理人高媛

  • 地址 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 11:36:24

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