一种高稳定性量子点杂化纳米结构、QLED器件及其制备方法

摘要

本发明提供的高稳定性量子点杂化纳米结构、QLED器件及其制备方法，涉及半导体纳米材料技术领域；其中，QLED器件采用量子点杂化纳米结构作为量子点发光层，量子点杂化纳米结构从内到外分别为：量子点、包覆在量子点外侧的无机多孔壳层，无机多孔壳层的孔道内灌注有单壁碳纳米管；无机多孔壳层初步将量子点与外界环境的水分和氧气等隔离，提高量子点的化学稳定性和环境稳定性；碳纳米管和量子点外侧无机多孔壳层孔道通过肽键连接，并形成紧密结合的纳米杂化结构；壳层结构有效提高荧光量子点的环境耐受性，单壁碳纳米管具有良好的电子和空穴的传导能力，提高保证量子点具有较高的使用寿命和使用周期，提高QLED的器件寿命。