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用于可编程集成电路的具有低阈值电压P沟道晶体管的互连电路

摘要

一种用于可编程集成电路(IC)(100)的示例性互连电路(200)包括被耦接以从可编程IC中的节点(204)接收的输入端子(218‑1),被耦接以向所述可编程IC中的另一节点(208)发送的输出端子(220),被耦接以从所述可编程IC的存储单元(212)接收的第一和第二控制端子(222‑1,222‑2),以及互补金属氧化物半导体(CMOS)传输门(202‑1),其被耦接在输入端子和输出端子之间并且被耦接到第一和第二控制端子。CMOS传输门包括配置有用于制造可编程IC的CMOS工艺的低阈值电压的P沟道晶体管(Q2)。

著录项

  • 公开/公告号CN106664091B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 赛灵思公司;

    申请/专利号CN201580043156.0

  • 发明设计人 P·简恩;M·J·哈特;

    申请日2015-08-05

  • 分类号H03K19/0185(20060101);H03K19/173(20060101);H03K19/177(20200101);

  • 代理机构11517 北京市君合律师事务所;

  • 代理人顾云峰;吴龙瑛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 11:35:43

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