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公开/公告号CN106664091B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 赛灵思公司;
申请/专利号CN201580043156.0
发明设计人 P·简恩;M·J·哈特;
申请日2015-08-05
分类号H03K19/0185(20060101);H03K19/173(20060101);H03K19/177(20200101);
代理机构11517 北京市君合律师事务所;
代理人顾云峰;吴龙瑛
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:35:43
机译: 用于可编程集成电路的具有低阈值电压p沟道晶体管的互连电路
机译: 具有低阈值电压的P-互连电路P沟道晶体管,用于可编程的集成电路
机译: 用于可编程集成电路的具有低阈值电压P沟道晶体管的互连电路
机译:用于N沟道MOS2和P沟道MOTE2场效应晶体管的可逆和可控阈值电压调制通过多次计数器掺杂,具有渗透/聚-L-赖氨酸电荷增强剂
机译:具有部分硅化铂栅电极的低阈值电压HfO_xN p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:适用于宽带RF集成电路的掩模可编程CMOS晶体管阵列
机译:嵌入式电子气动训练器的开发,用于教育应用,该集成电路具有可编程集成电路(PIC)和图形用户界面(GUI)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有无通孔多层金属互连的高度堆叠3D有机集成电路
机译:具有碳纳米管互连和硅晶体管的1 GHz集成电路
机译:用于异质结双极晶体管集成电路技术的多级互连