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公开/公告号CN107112283B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201480083617.2
发明设计人 M·埃尔-塔纳尼;P·帕坎;J·维德梅尔;A·梅直巴;范永平;
申请日2014-12-24
分类号H01L21/8238(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L27/108(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 11:35:41
机译: 增大MOS变容二极管的调谐电压范围的方法
机译: 多转换雷达探测器具有增大的幅度多转换雷达探测器具有增大的调谐范围和自校准功能,具有范围和自校准功能
机译:具有I-MOS变容二极管调谐控制的基于CMOS的低功耗VCO设计
机译:具有MOS变容二极管和主体偏置调谐的CMOS振荡器
机译:具有互隔离大调谐电容器和低压执行器的后CMOS微加工RF变容二极管
机译:具有18.6 GHz锁定范围的60 GHz频带变容二极管调谐注入锁定CMOS分频器
机译:使用开关电容器的20 GHz双极变容二极管调谐VCO,以增加调谐范围。
机译:0.0014 mm2 150 nW CMOS温度传感器具有−60至+40°C测量范围的非线性特性和校准
机译:25 GHz和28 GHz宽调谐范围130 NM CMOS VCOS与铁电变容二极管
机译:具有杂散抑制的固定和变容二极管调谐带阻滤波器的设计