取代环戊二烯基钴络合物及其制造方法、含钴薄膜及其制作方法

摘要

本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R¹表示通式(2)(式中，R⁶、R⁷及R⁸各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R²表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R³、R⁴及R⁵各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。