一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂及其应用

摘要

本发明公开了一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂及其应用，所述树脂包括含有脂环烷烃的丙烯酸酯类化合物、含有脂环烷烃的甲基丙烯酸酯类化合物、含内酯结构的丙烯酸酯类化合物和/或含有内酯结构的甲基丙烯酸酯类化合物结构单元的树脂，还可以包括含有苯乙烯或苯乙烯的衍生物结构单元的树脂。与现有技术相比，该ArF光刻胶树脂制得的光刻胶DOF宽、分辨率高，能更好的适应于90nm以下光刻工艺。