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公开/公告号CN108987471B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-05
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201810790054.0
发明设计人 兰林锋;彭俊彪;
申请日2018-07-18
分类号H01L29/24(20060101);H01L29/786(20060101);
代理机构11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人赵蕊红
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2022-08-23 11:34:15
机译: 包含膜的氧化物和氧化物半导体薄膜晶体管以及使用该氧化物的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
机译: 含氧化物的氧化物,氧化物半导体薄膜晶体管及使用该方法的氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
机译: 薄膜晶体管制造设备,氧化物半导体薄膜的制造方法,薄膜晶体管制造方法,氧化物半导体薄膜,薄膜晶体管和发光器件
机译:使用沉积有不同氧分压的In-Ga-O沟道层的氧化物半导体薄膜晶体管的负偏压光应力不稳定性机理
机译:使用双堆叠有源层改善氧化物半导体薄膜晶体管的性能和稳定性
机译:非晶氧化物半导体薄膜晶体管高不稳定性感知设计的物理模型和仿真平台
机译:非晶氧化物半导体薄膜晶体管高级不稳定性感知设计的物理模型与仿真平台
机译:非传统非晶氧化物半导体薄膜晶体管的制造。
机译:溶液加工纳米铟氧化物薄膜晶体管的偏置应力稳定性
机译:非晶氧化物半导体薄膜晶体管的稳定性
机译:氧化物薄膜晶体管的接触电阻和稳定性分析