公开/公告号CN111313237B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202010116917.3
申请日2020-02-25
分类号H01S5/22(20060101);H01S5/02(20060101);H01S5/40(20060101);H01S5/026(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴梦圆
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 11:34:08
机译: III-V族材料选择性区域生长的上基质和在硅基质上制造III-V族材料的方法
机译: 制造氮化物III-V族半导体晶体的方法和制造氮化物III-V族激光器件的方法
机译: 从III-V族化合物半导体,III-V族化合物半导体,半导体激光器和应用系统中生长晶体的方法