一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法，属于热电材料领域。本单晶硒化锡热电薄膜制备方法，包括以下步骤：取衬底，置于清洗液中超声清洗10min，清洗后在60‑150℃下烘干2h，取出自然冷却；将处理后的衬底放入到旋涂机上，对衬底表面滴加分散液，旋甩10‑60s，旋甩后将衬底取出，在200℃下烘干5‑10min，得到缓冲层衬底；取硒化锡溅射靶材和制得的缓冲层衬底放入高真空多功能磁控溅射镀膜仪，抽真空，对缓冲层衬底加热，通入惰性气体，进行溅射20‑60min得到单晶硒化锡热电薄膜。本发明制备方法的有益效果是制备过程简单，制得的单晶硒化锡热电薄膜单晶性好，功率因子高。