高功率和高频率异质结场效应晶体管

摘要

本公开涉及一种高功率和高频率异质结场效应晶体管。在HEMT器件中，在具有相互叠置的沟槽层、阻挡层以及钝化层的晶片中形成栅极区。在栅极区的不同侧上，在晶片中形成漏极电极和源极电极。在栅极区上和钝化层上形成电介质层。通过多次刻蚀来去除电介质层的选择性部分，从而在栅极区与漏极电极之间形成一个或多个腔体。该一个或多个腔体在从栅极区向漏极电极移动的相对于晶片增大距离处具有多个台阶。该腔体然后被填充导电材料以形成场板，该场板被耦合到源极电极、在栅极区上延伸，并且具有面对晶片并具有多个台阶的表面。