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应用于光刻的光瞳相位优化方法

摘要

本发明提供一种应用于光刻的光瞳相位优化方法,将光瞳相位分布作为优化变量,扩大了优化自由度,因此,本发明能够进一步降低光刻成像误差,提高光刻成像质量;同时,本发明将目标函数构造为各视场点成像保真度函数的平均值,而各视场点成像保真度函数与各视场对应的图形像差有关,从而在优化过程中综合考虑了光刻物镜的全视场像差信息,因此,本发明优化得到的光瞳相位分布,不只适用于特定视场点的光刻成像,而且适用于全视场光刻成像;由此可见,本发明有助于提高实际工况中的三维掩模和含有像差的大视场光刻物镜的全视场光刻成像保真度,提高光刻工艺稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN109634069B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN201910093998.7

  • 发明设计人 李艳秋;李铁;闫旭;刘阳;孙义钰;

    申请日2019-01-30

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构11120 北京理工大学专利中心;

  • 代理人郭德忠;李爱英

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2022-08-23 11:32:00

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