一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法

摘要

本发明公开一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法，通过磁控溅射的方式制备出六方氮化硼薄膜(h‑BN薄膜)，并采用溶液浸泡的物理方法，实现快速大面积的完整剥离。通过去离子水或碱性溶液的不同配比实现对h‑BN薄膜剥离速度的控制。本发明利用磁控溅射的方式制备h‑BN薄膜，工艺简单，且能够实现大面积均匀制备，易实现产业化生产，同时该剥离方法能够实现大面积完整无损剥离，剥离速度可控，为研究h‑BN薄膜特性及制备垂直结构大功率深紫外LED器件提供了重要基础。