应力调控氮化镓基红外-紫外双色光探测器及制备方法

摘要

应力调控氮化镓基红外‑紫外双色光探测器及制备方法，属于半导体领域。本发明包括GaN单晶体材料；在GaN单晶体材料上，由左至右依次设置第一紫外光探测器电极、缓冲层、第二应力层和第二紫外光探测器电极；第二应力层两端分别与缓冲层和第二紫外光探测器电极侧面接触；设置在缓冲层上的二维氮化物薄膜层；在二维氮化物薄膜层上，由左至右依次设置第一应力层和红外光探测器电极；第一应力层两端分别与第一紫外光探测器电极和红外光探测器电极侧面接触。本发明解决了因晶格不匹配带来的红外‑紫外光敏材料或探测系统集成困难、集成器件后红外探测系统的探测性能弱及双色集成探测器结构复杂的问题，本发明工艺流程简单、可操作性强、效果明显。