公开/公告号CN112018085B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 晶芯成(北京)科技有限公司;
申请/专利号CN202011114835.1
申请日2020-10-19
分类号H01L23/544(20060101);G01R19/165(20060101);G01R31/12(20060101);G01R31/14(20060101);G01R31/52(20200101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人曹廷廷
地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
入库时间 2022-08-23 11:30:49
机译: 选择半导体部件的有缺陷的电介质的方法包括在电介质上方制造部件的过程中形成测试层,测试电介质的功能以及去除或结构化
机译: 集成的时间相关的电介质击穿可靠性测试
机译: 集成的时间相关的电介质击穿可靠性测试