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一种电介质击穿测试结构

摘要

本发明提供一种电介质击穿测试结构,本发明通过在待测试电容结构的漏电流的变化来导通旁路电路,并通过旁路电路的导通来断开整个电路,以避免待测试电容结构的薄弱点在测试过程中发生硬击穿而烧毁,同时待测试电容结构的薄弱点位置可以产生一定的漏电流,使得所述待测试电容结构在测试过程中可以进一步的进行失效分析,从而使得待测试电容结构的缺陷可以被发现,并作出针对性的改善。

著录项

  • 公开/公告号CN112018085B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶芯成(北京)科技有限公司;

    申请/专利号CN202011114835.1

  • 发明设计人 周山;王丽雅;俞佩佩;

    申请日2020-10-19

  • 分类号H01L23/544(20060101);G01R19/165(20060101);G01R31/12(20060101);G01R31/14(20060101);G01R31/52(20200101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹廷廷

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

  • 入库时间 2022-08-23 11:30:49

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