具有外延生长的半导体沟道的三维存储器件及其形成方法

摘要

公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种三维(3D)存储器件包括衬底、位于衬底上方且包括交替的导电层和电介质层的存储堆叠体以及垂直延伸穿过存储堆叠体的存储器串。存储器串包括位于该存储器串的下部中的单晶硅插塞、位于单晶硅插塞上方并且沿该存储器串的侧壁的存储膜、以及位于存储膜之上并且沿存储器串的侧壁的单晶硅沟道。