一种基于碳纳米材料复合结构的三维硅通孔垂直互联方法

摘要

本发明公开了一种基于碳纳米材料复合结构的三维硅通孔垂直互联方法，在硅基片上制作硅孔；在硅基片表面及硅孔内壁沉积绝缘层；在绝缘层上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积催化金属层；刻蚀催化金属层，形成纳米催化颗粒；利用纳米催化颗粒生长碳纳米材料复合层；在硅基片上的碳纳米材料复合结构层表面贴干膜，曝光、显影形成干膜层；在硅孔底面和干膜层表面上沉积种子层；在硅孔内填充导电材料。本发明利用碳纳米材料良好的热学和机械性能，解决由功率密度增加导致的TSV封装结构的散热问题和封装材料间的热应力失配问题，提高3D‑TSV结构的导热性及封装可靠性。