位于晶体管栅极上方的气隙以及相关方法

摘要

本发明涉及位于晶体管栅极上方的气隙以及相关方法，其中，一种半导体装置可包括：位于装置层中的晶体管栅极；位于该装置层上方的互连层；以及延伸穿过该互连层以接触该晶体管栅极的上表面的气隙。该气隙提供机制以降低使用SOI衬底的应用例如射频开关的导通电阻及关态电容。