公开/公告号CN100426468C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司;
申请/专利号CN02151892.0
发明设计人 法布里斯·莱特尔特雷;施鲍特·莫里斯;
申请日2002-12-20
分类号H01L21/30(20060101);H01L21/322(20060101);H01L21/70(20060101);H01L21/76(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址 法国贝尔尼恩
入库时间 2022-08-23 09:01:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-10-01
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/30 变更前: 变更后: 申请日:20021220
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2008-10-15
授权
授权
2005-01-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-07-02
公开
公开
机译: 转移半导体薄层的工艺和形成用于这种转移工艺的施主晶片的工艺
机译: 转移半导体薄层的工艺和形成用于这种转移工艺的施主晶片的工艺
机译: 薄半导体层的转移包括通过在施主层中的脆化区处分离来将薄半导体层从施主晶片转移到受主晶片。