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用于转移薄半导体层的工艺和使用这种转移工艺获得施主晶片的工艺

摘要

一种用于将连续薄层从施主晶片的半导体材料转移到接收晶片的工艺包括以下步骤:(a)组装由半导体材料构成的体片和支撑片,以便形成具有所述半导体材料的施主层和支撑层的施主晶片;(b)在施主层中形成薄弱区;(c)将施主晶片经过施主层的自由面结合到接收晶片上;(d)在薄弱区中进行分离,由此半导体材料薄层从施主晶片转移到接收晶片上;和(e)在不破坏施主晶片的支撑层的情况下重复操作(b)到(d)。还提供用于获得施主晶片的工艺。

著录项

  • 公开/公告号CN100426468C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司;

    申请/专利号CN02151892.0

  • 申请日2002-12-20

  • 分类号H01L21/30(20060101);H01L21/322(20060101);H01L21/70(20060101);H01L21/76(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 法国贝尔尼恩

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-01

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/30 变更前: 变更后: 申请日:20021220

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2008-10-15

    授权

    授权

  • 2005-01-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-02

    公开

    公开

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