公开/公告号CN109786233B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN201910044410.9
申请日2019-01-17
分类号H01L21/28(20060101);H01L21/44(20060101);H01L21/34(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;
代理人郝伟
地址 050051 河北省石家庄市新华区合作路113号
入库时间 2022-08-23 11:28:47
机译: 用作高功率应用的功率器件的场效应晶体管包括沟道层,该沟道层包括宽带隙半导体
机译: 以及具有不同配置的源极/漏极扩展区和非对称沟道区的非对称场效应晶体管的制造配置
机译: 具有碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短路沟道的短路沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法