一种多晶材料单个晶粒应力状态的TKD确定方法

摘要

本发明的目的是提供一种多晶材料单个晶粒应力状态的TKD确定方法，其特征在于：首先确定要研究的单个晶粒，确定该晶粒以及周围几个晶粒的位错密度是否有数量级的差别，如果有数量级的差别，即可进一步分析，确定晶粒内部开动的滑移系；然后采用透射菊池衍射分析技术，得出这些晶粒的具体的取向分布；在HKL Channel 5系统的施密特因子计算部分中输入所得滑移系，同时调整宏观受力方向，使得获得的施密特因子值与预测的结果一致，那么此宏观力即是这几个晶粒的受力方向，也即是某一晶粒的受力方向。该方法适用于任何晶体材料，能很好地计算出材料内部单个晶粒在变形过程中具体的应力状态，为研究多晶材料的微观变形机制提供了一种确切且行之有效的方法。