公开/公告号CN109285793B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;
申请/专利号CN201811068504.1
申请日2018-09-13
分类号H01L21/66(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
入库时间 2022-08-23 11:27:31
机译: 包括耦合的介电层和金属层的半导体器件,其制造方法以及用于在半导体器件中耦合介电层和金属层的材料
机译: 包括耦合的介电层和金属层的半导体器件,其制造方法以及用于在半导体器件中耦合介电层和金属层的材料
机译: 包括耦合的介电层和金属层的半导体器件,其制造方法以及用于耦合半导体器件中的介电层和金属层的材料