公开/公告号CN107946310B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201711139414.2
申请日2017-11-16
分类号H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101);H01L29/51(20060101);
代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人佟林松
地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 11:27:27
机译: 牺牲旋涂玻璃,用于在单栅极垂直通道3D NAND闪存中进行bl隔离工艺后形成气隙
机译: 适用于45NM节点或更大的NAND闪存应用的高介电常数截止介电带隙工程化的氧化硅-氮化物-氧化物-半电子和金属氧化物-氮化物-氧化物-半电子
机译: 一种类型的NAND闪存的控制器,用于仿真另一种类型的NAND闪存