没有伪栅极的图案化方法

摘要

本文中的技术提供了用于鳍片和纳米线的精确切割，而不需要伪栅极对来补偿上覆未对准。本文的技术包括使用蚀刻掩模来去除栅极结构的指定部分以限定具有鳍片结构、纳米线等的沟槽或敞开空间。未被覆盖的鳍片结构被蚀刻掉或以其他方式从沟槽区段去除。限定沟槽的蚀刻掩模和材料提供用于去除未被覆盖的鳍片部分的组合蚀刻掩模。随后，用电介质材料填充沟槽段。在不需要伪栅极对的情况下，给定的基片可以显著地装配每单位面积更多的电子器件。