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FFS型阵列基板的制作方法及FFS型阵列基板

摘要

本发明提供一种FFS型阵列基板的制作方法及FFS型阵列基板。该FFS型阵列基板的制作方法通过一道光罩同时图案化透明金属薄膜和源漏极金属薄膜,从而实现通过一道光罩制得公共电极层和薄膜晶体管的源极与漏极,并利用透明金属薄膜在薄膜晶体管的沟道区上形成沟道保护区,能够节省光罩数量,简化制作流程,降低生产成本,且有效阻隔水汽,保护薄膜晶体管的沟道区。

著录项

  • 公开/公告号CN108646487B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TCL华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201810463756.8

  • 发明设计人 刘大江;

    申请日2018-05-15

  • 分类号G02F1/1362(20060101);G02F1/1343(20060101);

  • 代理机构44265 深圳市德力知识产权代理事务所;

  • 代理人林才桂;王中华

  • 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:26:32

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