非对称环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器

摘要

非对称环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。本发明其特征在于，欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区是一个圆柱形实体，其中间部分是一个齐顶偏心高阻区，所述齐顶偏心高阻区呈近似圆柱状，齐顶偏心高阻区的顶面与欧姆接触层的顶面平齐，齐顶偏心高阻区的底面与下分布布拉格反射镜的内镜面接触，齐顶偏心高阻区的垂直轴线与所述器件主轴线平行且相距偏心距δ，偏心距δ＝10μm～20μm；整形层位于齐顶偏心高阻区的顶面位置，整形层的形状和径向尺度与齐顶偏心高阻区的顶面的形状和径向尺度相同，整形层的厚度、材质与上电极相同。本发明能够去除空心激光束横模中的基模，提高光束质量。