公开/公告号CN100426520C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 友达光电股份有限公司;
申请/专利号CN200610141674.9
申请日2006-10-09
分类号H01L29/41(20060101);H01L29/78(20060101);H01L27/12(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2022-08-23 09:01:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-10-15
授权
授权
2007-05-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-03-28
公开
公开
机译: 用于动态随机存取存储器(DRAM)的混合存储单元,包含具有晶体管结构的特定基板,该晶体管结构具有漏极,源极,控制触点以及漏极和源极之间的沟道区等
机译: 用于动态RAM存储单元布局的选择晶体管结构,在选择晶体管之间具有隔离晶体管,其中晶体管被设计为相同的凹槽通道阵列晶体管结构
机译: 具有多个单位单元的反熔丝型一次性可编程存储单元阵列,每个单位单元由不具有选择晶体管的金属氧化物半导体(MOS)晶体管结构制成,并且其操作方法相同