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公开/公告号CN110426661B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-22
原文格式PDF
申请/专利权人 上海交通大学;
申请/专利号CN201910745143.8
发明设计人 李小汾;陈怡文;
申请日2019-08-13
分类号G01R33/12(20060101);
代理机构31236 上海汉声知识产权代理有限公司;
代理人庄文莉
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2022-08-23 11:26:14
机译: 为了执行包括超导材料的导体的临界电流的测量方法和该方法的装置
机译: 高温超导材料Y-BA-CU-O的临界电流的测量方法
机译: 临界电流测量仪器,临界电流测量方法和临界电流评估方法
机译:高温超导材料II-高温超导体的临界电流特性-
机译:高温超导材料II特异性高温超导体的临界电流 -
机译:掺Nb的2212-BPSCCO HTc超导材料的合成及临界电流密度提高
机译:Y211原料制备方法对Y系统散装超导材料临界电流密度的影响
机译:超导材料的微观结构控制和临界电流密度的研究
机译:结合了反推力假设的介质阻挡放电等离子体致动器推力测量方法
机译:超导材料中的临界电流密度
机译:介质阻挡放电(DBD)等离子体执行器推力测量方法结合新的反推力假设。