一种在蓝宝石上外延GaN层的方法

摘要

本发明公开了一种在蓝宝石上外延GaN层的方法，属于半导体技术领域。包括步骤1：对蓝宝石衬底进行预处理腐蚀，步骤2：在蓝宝石衬底上用化学气相沉积法(CVD)生长MoS₂缓冲层，采用MoO₃作为钼源，硫粉作为硫源；步骤3：利用NH₃为氮源，TMGa为镓源，进行金属有机物化学气相沉积(MOCVD)，在MoS₂缓冲层上生长二维GaN薄膜；步骤4：利用AFM和PL表征GaN外延层。本发明采取强酸强碱并提高腐蚀温度的方法对蓝宝石衬底进行加工，以实现GaN薄膜的横向外延生长机制，同时选用与GaN晶格匹配的MoS₂薄膜作为缓冲层，使得生长出低位错密度、无裂纹、原子级光滑表面具有外延层GaN。