退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110233427B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 南京工程学院;
申请/专利号CN201910505261.1
发明设计人 蔡玮;韩冰;王新迪;
申请日2019-06-12
分类号H01S5/34(20060101);H01S5/343(20060101);H01S5/10(20060101);
代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);
代理人胡燕
地址 211167 江苏省南京市江宁科学园弘景大道1号
入库时间 2022-08-23 11:24:51
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译: 基于氮化镓的半导体激光器件以及制造基于氮化镓的半导体激光器件的方法
机译: 单结晶氮化镓局部化的基质及其制备方法,涉及具有单个结晶氮化镓生长的局部区域的单晶硅基质
机译:基于氨氮化镓外性结构在蓝宝石和硅基板上生长的基于氮化镓异质结构的晶体管特性
机译:基于氮化镓对硅基镓的ki和Ka带的单片集成电路
机译:六方氮化硼封装的二硫化钨单层中激子-激子an灭的抑制
机译:二维group族过渡金属二卤化二硫化钨ReS 2 inf>中的激子选择性光学斯塔克效应
机译:基于砷化铟镓/磷化铟和氮化铝镓/氮化镓HEMT中二维电子气中的等离激元激发的可调太赫兹探测器。
机译:在六方氮化硼上生长的二硫化钨原子层中双极激子发射的功率密度极低
机译:立方氮化镓–用于HEMT的碳化物衬底–氮化镓激光器的硅
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(UV)的倍频蓝绿激光器